第八届中国电子信息博览会今天在深圳会展中心召开。长江存储128层QLC 3D NAND闪存芯片在紫光集团展台上亮相展出。

长江存储展示的业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存X2-6070，获得了本届博览会颁发的“中国电子信息博览会金奖”。

本届博览会以“创新共享，开放合作”为主题，举办展览、论坛等多项活动，全力推动展商及观众的沟通合作，带动内循环，打造未来发展新优势。

今年4月13日，紫光集团旗下长江存储宣布最新128层QLC 3D NAND闪存在武汉光谷研发成功，这是全球首款128层QLC闪存。

目前，该闪存已通过多家知名控制器企业在固态硬盘等终端存储产品上的验证。

3D NAND即三维闪存技术。过去，人们用到的存储芯片是平面的，相当于地面停车场，而三维闪存芯片是立体的，就像是立体停车场。同样的“占地面积”之下，立体芯片能够容纳更多倍数据量。

尽管这颗存储芯片不到芝麻大小，却内藏乾坤，拥有3665亿个“细胞”——存储单元。QLC是继TLC后，三维闪存新的技术形态，具有大容量，高密度等特点，适合于读密集型应用。TLC的每个“存储细胞”可存3bit数据，而QLC的每个“细胞”能存4bit数据。这些“存储细胞”加起来，能让一颗芯片的存储容量达到惊人的1.33Tb，相当于1362Gb。

得益于“存储细胞”的不断扩容，以及这些“细胞”之间独特的Xtacking架构布局，此次先于业界发布的128层闪存芯片“X2-6070”，拥有业界最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。

2018年底，长江存储第一代32层三维闪存芯片量产。2019年9月，首次基于Xtacking架构的64层三维闪存芯片量产。随着自主Xtacking架构全面升级至2.0，进一步释放了三维闪存的潜能，128层QLC闪存芯片才得以快速突破。

今年以来，长江存储消息不断，自宣布成功研发128层闪存产品之后，表示预计将在三季度推出自有品牌的SSD，二期厂房建设项目也已经开始动工，规划产能20万片/月。

来源：武汉广播电视台